三星宣布在10nmDRAM技术领域取得突破新型内存的容量与性能预计将大幅提升

12月17日消息，据The Elec报道，三星与三星先进技术研究所共同宣布，已成功研发出一种新型晶体管，可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM。

这一重大进展有望攻克移动内存持续微型化过程中遭遇的核心物理难题，让未来设备在存储容量和运行性能上实现更显著的提升。

传统DRAM制程的微缩在进入10纳米以下节点后，因物理极限而面临严峻挑战。

三星这次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”拥有出色的高温稳定性，即便处于摄氏550度的高温环境中，性能也不会出现衰退，能够满足先进制造工艺的需求。

这款晶体管运用了垂直沟道的设计方案，沟道长度仅100纳米，并且能够和单片CoP DRAM架构实现集成。相关测试数据表明，它的漏极电流性能十分稳定，即便经过长期老化测试，依然维持着出色的可靠性。

三星方面透露，这项技术拟用于未来的0a和0b级DRAM产品，现阶段还处在研究阶段。

预计采用该技术的存储芯片将助力三星在高密度内存市场维持竞争力，且有望从2026年开始逐步应用到终端设备里。